毕设答辩

本文是一篇关于“脉冲激光沉积SrCoOx的电致阻变特性研究”的毕业设计答辩摘要。作者庄钦伟，来自集成电路学院微电子2102班，指导老师是程伟明。答辩内容分为五部分：绪论、研究内容、实验方法、实验结果与分析、成果总结。 绪论部分介绍了课题背景，阻变存储器作为新型存储器的优势，以及选择SrCoOx作为阻变材料的原因。研究内容是探究氧分压对SCO薄膜电致阻变特性的影响。实验方法包括材料制备、微观表征和器件阻变特性分析。实验结果表明，在不同氧压下SCO薄膜的结晶性、氧空位排列和电学性能有显著差异，13.3Pa时性能最佳。通过XRD和XPS分析，发现氧压增大时，三价Co和四价Co的比例变化，以及氧空位和晶格氧的比例变化。电学测试显示，不同氧压下SCO的导电机制主要为欧姆传导和空间电荷限制传导。成果总结部分提出了研究结论和不足。 本研究深入探讨了氧分压对SCO薄膜电致阻变特性的影响，为阻变存储器的材料优化和性能提升提供了重要参考。