开题报告-参考论文(一)

本报告为2025年2月27日更新的开题论文笔记，旨在为毕设研究提供参考。报告详细记录了关于相变存储器（PCRAM）和相变材料（PCM）的科研笔记，包括数学公式和理论模型。研究发现Cr2Ge2Te6材料因其极小的密度变化，适合高耐久性非易失性存储应用。实验验证了Cr2Ge2Te6薄膜在非晶态和晶态下的厚度变化极小，强调了在电存储器应用中，小的密度变化比大光学对比度更为重要。此外，报告还讨论了垂直-侧向H-TaS2/1T-TaS2异质结构，实现了室温附近的多态电阻转换和手性切换，为非易失性多级存储和手性调控提供新框架。综述了PCM在节能光子存储与计算中的应用，通过光学或电学脉冲加热PCM，触发其相变，改变光学和电学性质，实现光传输调制和编程方案。最后，介绍了基于PCM的光学-电混合模式存储单元，模拟生物突触工作机制，实现信号调制和记忆功能，具有高效能和低能耗的优势。