开题报告-答辩稿

本文为脉冲激光沉积SrCoOx薄膜电致阻变性能及机理研究的开题报告答辩稿。报告介绍了研究目的、现状、方案、内容及进度安排，旨在通过优化PLD工艺提升薄膜质量，探究其电致阻变性能，为高性能存储器设计提供理论依据。研究现状部分讨论了非易失性存储器和存算一体化技术的发展，以及SrCoOx薄膜的晶体结构和拓扑相变。研究方案包括工艺优化、器件制备、性能表征和机理分析，内容涉及PLD原理、阻变器件制备、电学测试评估和表征技术分析。进度安排分为资料搜集、实验设计、实验实施和数据分析四个阶段。学生对导师问题进行了回答，展示了对实验设计的深入理解和预期成果展望。创新点包括工艺协同优化、界面工程和机理深度关联，将引入原位XPS和C-AFM解决氧空位动态迁移观测难题，并通过突触模拟和STDP测试体现神经形态计算潜力。